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氮化鎵（GaN）保護板相較于傳統硅基保護板，在性能上展現出顯著優勢。氮化鎵材料具有更低的導通電阻和更快的開關速度，這意味著在同等工作條件下，GaN保護板能夠更有效地降低能量損耗和發熱量。這不僅提高了電池管理系統的整體效率，還能延長設備的使用壽命。

 

在體積和集成度方面，一顆氮化鎵開關管可以替代兩顆傳統的硅MOS管。這得益于GaN材料出色的耐壓性能和內部無體二極管的特性，使得電路設計更為簡潔，從而減小了保護板的整體尺寸。更小的體積對于追求輕薄化的電子設備尤為重要。

 

此外，氮化鎵保護板在散熱性能上也表現更優。低發熱量使得元件間的距離可以更近，進一步優化了散熱設計，確保電池在高效運行時也能保持穩定。在快充技術日益發展的今天，GaN保護板能夠支持更高的充電功率，并延長恒流充電時間，提升用戶體驗。

 

氮化鎵保護板憑借其低導阻、高效率、小體積和優異的散熱性能，正逐漸成為電池保護領域的新一代技術選擇，為提升電子設備的性能和可靠性提供了更優的解決方案。